SIA918EDJ-T1-GE3 Datalehdet
erittelyt SIA918EDJ-T1-GE3
Osa numero : SIA918EDJ-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Standard
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
Teho - Max : 7.8W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paino : -
Kunto : Uusi ja alkuperäinen
Laatutakuu : 365 päivää takuu
Stock Resource : Franchise jakelija / Valmistaja Suora
Alkuperämaa : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Valmistajan osanumero
Sisäinen osanumero
Valmistaja
Lyhyt kuvaus
MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
RoHS-tilanne
Lyijytön / RoHS
Toimitusaika
1-2 päivää
käytettävissä Määrä
2490975 kappaletta
viitehinta
Hintamme
- (Ota yhteyttä paremman hinnan: [email protected])
- AX Semiconductor on SIA918EDJ-T1-GE3 varastossa myydä.
- Toimitusvaihtoehdot ja toimitusaika:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- Maksuvaihtoehdot:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
Liittyviä tuotteita SIA918EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Osa numero | Brändi | Kuvaus | Ostaa |
|---|---|---|---|
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 7.1NS 324BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 256BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 7.1NS 256FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 10NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 208QFP | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 128MC 7.5NS 128TQFP | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 7.5NS 144TQFP | ||
| Intel | IC CPLD 128MC 10NS 100FBGA |