SIA777EDJ-T1-GE3 Datalehdet
erittelyt SIA777EDJ-T1-GE3
Osa numero : SIA777EDJ-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N and P-Channel
FET-ominaisuus : Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V, 12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
Teho - Max : 5W, 7.8W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paino : -
Kunto : Uusi ja alkuperäinen
Laatutakuu : 365 päivää takuu
Stock Resource : Franchise jakelija / Valmistaja Suora
Alkuperämaa : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Valmistajan osanumero
Sisäinen osanumero
Valmistaja
Lyhyt kuvaus
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
RoHS-tilanne
Lyijytön / RoHS
Toimitusaika
1-2 päivää
käytettävissä Määrä
2031480 kappaletta
viitehinta
Hintamme
- (Ota yhteyttä paremman hinnan: [email protected])
- AX Semiconductor on SIA777EDJ-T1-GE3 varastossa myydä.
- Toimitusvaihtoehdot ja toimitusaika:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- Maksuvaihtoehdot:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
Liittyviä tuotteita SIA777EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Osa numero | Brändi | Kuvaus | Ostaa |
|---|---|---|---|
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 9NS 324FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 10NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 256BGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 7.5NS 100TQFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 12NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 9NS 144QFP |