1N5809US Datalehdet
erittelyt 1N5809US
Osa numero : 1N5809US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, B
Toimittajalaitteen paketti : B, SQ-MELF
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C
Paino : -
Kunto : Uusi ja alkuperäinen
Laatutakuu : 365 päivää takuu
Stock Resource : Franchise jakelija / Valmistaja Suora
Alkuperämaa : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Valmistajan osanumero
Sisäinen osanumero
AX-1N5809US
Valmistaja
Lyhyt kuvaus
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
RoHS-tilanne
Lyijytön / RoHS
Toimitusaika
1-2 päivää
käytettävissä Määrä
49650 kappaletta
viitehinta
Hintamme
- (Ota yhteyttä paremman hinnan: [email protected])
- AX Semiconductor on 1N5809US varastossa myydä.
- Toimitusvaihtoehdot ja toimitusaika:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- Maksuvaihtoehdot:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
Liittyviä tuotteita 1N5809US Microsemi Corporation
| Osa numero | Brändi | Kuvaus | Ostaa |
|---|---|---|---|
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 128MC 7.5NS 128TQFP | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 192MC 6NS 144TQFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 324BGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 10NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 324BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 9NS 144QFP | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 512MC 5NS 256FTBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9.2NS 324BGA | ||
| Microchip Technology | IC CPLD QTR PWR 25NS CER 44JLCC |